GA1206A682KBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為需要高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有出色的開關(guān)特性和熱性能,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
這款器件主要面向工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域,其封裝形式和電氣特性使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。此外,其出色的可靠性和穩(wěn)定性也使得它在多種復(fù)雜的工作環(huán)境中表現(xiàn)出色。
類型:MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流:45A
導(dǎo)通電阻(典型值):2.5mΩ
柵極電荷:80nC
開關(guān)速度:快速
封裝:TO-247
GA1206A682KBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力,支持高頻工作,從而減小外部元件體積并優(yōu)化設(shè)計(jì)。
3. 優(yōu)秀的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)計(jì)。
4. 高可靠性設(shè)計(jì),確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 內(nèi)置多重保護(hù)功能,增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和魯棒性。
該型號(hào)廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的電池管理系統(tǒng)。
4. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)。
5. 各種負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
6. 通信電源和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。
IRFZ44N
FDP158N
STP160NF06L