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GA1206A682KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 12:12:26 查看 閱讀:9

GA1206A682KBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為需要高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有出色的開關(guān)特性和熱性能,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。
  這款器件主要面向工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域,其封裝形式和電氣特性使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。此外,其出色的可靠性和穩(wěn)定性也使得它在多種復(fù)雜的工作環(huán)境中表現(xiàn)出色。

參數(shù)

類型:MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:45A
  導(dǎo)通電阻(典型值):2.5mΩ
  柵極電荷:80nC
  開關(guān)速度:快速
  封裝:TO-247

特性

GA1206A682KBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,支持高頻工作,從而減小外部元件體積并優(yōu)化設(shè)計(jì)。
  3. 優(yōu)秀的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)計(jì)。
  4. 高可靠性設(shè)計(jì),確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
  6. 內(nèi)置多重保護(hù)功能,增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和魯棒性。

應(yīng)用

該型號(hào)廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
  3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的電池管理系統(tǒng)。
  4. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)。
  5. 各種負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  6. 通信電源和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP158N
  STP160NF06L

ga1206a682kbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-