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GA1206A6R8BXEBP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 21:04:27 查看 閱讀�18

GA1206A6R8BXEBP31G 是一款高性能� MOSFET 功率器件,采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件適用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)�,能夠顯著提高效率并降低熱損��
  它屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET 系列,主要設(shè)�(jì)用于需要高頻開�(guān)和高效能表現(xiàn)的應(yīng)用場�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn),便于在各種電路板上�(jìn)行安裝與焊接�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A6R8BXEBP31G
  類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  漏源極擊穿電�(Vds)�120V
  連續(xù)漏極電流(Id)�6.7A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷(Qg)�11nC
  總電�(Ciss)�740pF
  功�(PD)�72W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝:TO-263-3

特�

GA1206A6R8BXEBP31G 的主要特性包括:
  1. 高效性能:低�(dǎo)通電阻可減少傳導(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷使其能夠在高頻條件下保持高效�(yùn)��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):工作溫度范圍寬�,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)��
  4. 小型化封裝:TO-263-3 封裝節(jié)省空間,便于�(shè)�(jì)緊湊型電��
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的同步整流��
  2. 直流-直流(DC-DC) �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
  4. LED 照明系統(tǒng)的恒流控��
  5. 筆記本電�、平板設(shè)備及其他便攜式電子產(chǎn)品的電池充電管理模塊�
  6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換功能實(shí)�(xiàn)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP12NF06L
  FDP120N10BG
  IXFN100N10T2

ga1206a6r8bxebp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容6.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-