GA1206A6R8BXEBP31G 是一款高性能� MOSFET 功率器件,采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件適用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)�,能夠顯著提高效率并降低熱損��
它屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET 系列,主要設(shè)�(jì)用于需要高頻開�(guān)和高效能表現(xiàn)的應(yīng)用場�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn),便于在各種電路板上�(jìn)行安裝與焊接�
型號(hào):GA1206A6R8BXEBP31G
類型:MOSFET
極性:N-Channel
漏源極擊穿電�(Vds)�120V
連續(xù)漏極電流(Id)�6.7A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg)�11nC
總電�(Ciss)�740pF
功�(PD)�72W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝:TO-263-3
GA1206A6R8BXEBP31G 的主要特性包括:
1. 高效性能:低�(dǎo)通電阻可減少傳導(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)整體效率�
2. 快速開�(guān)能力:低柵極電荷使其能夠在高頻條件下保持高效�(yùn)��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):工作溫度范圍寬�,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)��
4. 小型化封裝:TO-263-3 封裝節(jié)省空間,便于�(shè)�(jì)緊湊型電��
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中的同步整流��
2. 直流-直流(DC-DC) �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
4. LED 照明系統(tǒng)的恒流控��
5. 筆記本電�、平板設(shè)備及其他便攜式電子產(chǎn)品的電池充電管理模塊�
6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換功能實(shí)�(xiàn)�
IRFZ44N
STP12NF06L
FDP120N10BG
IXFN100N10T2