GA1206A6R8BXLBC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少發(fā)�。其封裝形式緊湊,適合于空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��
該型號屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,適用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的電子�(shè)備中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�100A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=18ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1206A6R8BXLBC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作,減少了磁性元件體�,從而節(jié)省了電路板空間�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性和可靠��
4. �(nèi)置防靜電保護(hù)功能,提高了生產(chǎn)過程中的抗干擾能力�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. 可靠的熱性能表現(xiàn),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
這些特點(diǎn)使得 GA1206A6R8BXLBC31G 成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)組件�
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 新能源汽車充電樁的功率模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單��
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分�
由于其出色的電氣性能和穩(wěn)定性,GA1206A6R8BXLBC31G 在各類高功率場景中表�(xiàn)出色�
IRFZ44N, FDP5501, STP100N06LC