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GA1206A6R8BXLBC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 11:37:37 查看 閱讀�18

GA1206A6R8BXLBC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少發(fā)�。其封裝形式緊湊,適合于空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��
  該型號屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,適用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的電子�(shè)備中�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�100A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=18ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206A6R8BXLBC31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作,減少了磁性元件體�,從而節(jié)省了電路板空間�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性和可靠��
  4. �(nèi)置防靜電保護(hù)功能,提高了生產(chǎn)過程中的抗干擾能力�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
  6. 可靠的熱性能表現(xiàn),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  這些特點(diǎn)使得 GA1206A6R8BXLBC31G 成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)組件�
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 新能源汽車充電樁的功率模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單��
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分�
  由于其出色的電氣性能和穩(wěn)定性,GA1206A6R8BXLBC31G 在各類高功率場景中表�(xiàn)出色�

替代型號

IRFZ44N, FDP5501, STP100N06LC

ga1206a6r8bxlbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容6.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-