GA1206A6R8CBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。該芯片采用了先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
該器件通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�,實�(xiàn)了更低的功耗和更少的熱量積�,非常適合對效率和散熱性能要求較高的應(yīng)用場��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
總電荷量�90nC
開關(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55℃至150�
GA1206A6R8CBBBT31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.6mΩ�,可有效降低傳導(dǎo)損��
2. 超高的電流承載能力(45A),適用于大功率�(yīng)用場景�
3. 高速開�(guān)性能,支持高頻電路設(shè)�,減少磁性元件體��
4. 強大的熱性能表現(xiàn),能夠承受較長時間的高負載運行�
5. 嚴格的電氣參�(shù)一致�,便于批量生�(chǎn)和應(yīng)用設(shè)��
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運行需��
這款MOSFET芯片廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或上橋臂開�(guān)�
3. 電動工具和小型電機驅(qū)動中的功率開�(guān)�
4. 太陽能逆變器中的功率管理模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載控制開關(guān)�
6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換組件�
GA1206A6R8CBTB31G, IRF7728, FDP16N60C