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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A6R8CBCBT31G

GA1206A6R8CBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 14:55:32 查看 閱讀�25

GA1206A6R8CBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度。其封裝形式適合表面貼裝技�(shù) (SMT),適用于高密度電路板�(shè)�(jì)�
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�

參數(shù)

�(lèi)型:MOSFET
  �(dǎo)通電阻(典型值)�6 mΩ
  最大漏源電壓:60 V
  最大連續(xù)漏極電流�45 A
  柵極電荷�27 nC
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 1 MHz
  封裝:TO-252(DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA1206A6R8CBCBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低功率損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 較高的漏源電壓耐受能力,增�(qiáng)了器件在�(fù)雜電路中的適�(yīng)��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了器件的抗靜電能力�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  6. 支持高電流操作,適用于大功率�(shè)��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為功率開(kāi)�(guān)�
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)放大和功率轉(zhuǎn)換�
  5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的高效能量管理�
  6. 各類(lèi)便攜式設(shè)備中的電池充電管理模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N, SI4849DY, FDP5560

ga1206a6r8cbcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容6.8 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-