GA1206A6R8DBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場�。該芯片具有低導通電阻、高擊穿電壓以及快速開關速度的特�,適合在高頻和高效率需求的電路中使��
該型號采用了先進的溝槽式工藝制造,能夠有效降低器件的導通損�,并提升整體系統(tǒng)的能效表�(xiàn)。其封裝形式為行�(yè)標準的小型表面貼裝類�,便于自動化生產及散熱管理�
類型:功率MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�25A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�70nC
總功�(Ptot)�17W
工作溫度范圍(Top)�-55� to +175�
封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
GA1206A6R8DBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,僅� 4.5mΩ,可顯著減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力,支持高� 60V 的漏源極電壓,確保在各種嚴苛條件下穩(wěn)定運��
3. 快速開關性能,具備低柵極電荷 (70nC),適合高頻應用環(huán)��
4. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適應多種工�(yè)級和汽車級應用場��
5. 小型化的封裝設計 (TO-Leadless),簡化了 PCB 布局并優(yōu)化了熱性能�
這款功率 MOSFET 可廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開關管�
2. 電動工具、家用電器和工業(yè)設備中的電機驅動電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護功��
4. LED 照明驅動器和 DC/DC 轉換器�
5. 各類需要高效功率轉換的應用場合�
GA1206A6R8DBBBR30G, IRF540N, FDP5500