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GA1206A6R8DBBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 17:06:01 查看 閱讀�19

GA1206A6R8DBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場�。該芯片具有低導通電阻、高擊穿電壓以及快速開關速度的特�,適合在高頻和高效率需求的電路中使��
  該型號采用了先進的溝槽式工藝制造,能夠有效降低器件的導通損�,并提升整體系統(tǒng)的能效表�(xiàn)。其封裝形式為行�(yè)標準的小型表面貼裝類�,便于自動化生產及散熱管理�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  漏源極電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�25A
  導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�70nC
  總功�(Ptot)�17W
  工作溫度范圍(Top)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-Leadless (TOLL)

特�

GA1206A6R8DBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,僅� 4.5mΩ,可顯著減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高耐壓能力,支持高� 60V 的漏源極電壓,確保在各種嚴苛條件下穩(wěn)定運��
  3. 快速開關性能,具備低柵極電荷 (70nC),適合高頻應用環(huán)��
  4. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適應多種工�(yè)級和汽車級應用場��
  5. 小型化的封裝設計 (TO-Leadless),簡化了 PCB 布局并優(yōu)化了熱性能�

應用

這款功率 MOSFET 可廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開關管�
  2. 電動工具、家用電器和工業(yè)設備中的電機驅動電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護功��
  4. LED 照明驅動器和 DC/DC 轉換器�
  5. 各類需要高效功率轉換的應用場合�

替代型號

GA1206A6R8DBBBR30G, IRF540N, FDP5500

ga1206a6r8dbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)停產
  • 電容6.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-