GA1206A6R8DBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能耗�
其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)�,同時具備良好的電氣特性和可靠�,適用于各種嚴苛的工作環(huán)境�
型號:GA1206A6R8DBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�28A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�37nC
總功�(Ptot)�26W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝:TO-252(DPAK)
GA1206A6R8DBEBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度,柵極電荷僅�37nC,確保在高頻�(yīng)用場景下的卓越性能�
3. 耐熱增強型封裝設(shè)�,能夠有效散�,支持長期穩(wěn)定運��
4. 支持寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適�(yīng)多種�(fù)雜環(huán)境�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠,滿足現(xiàn)代工�(yè)要求�
6. �(yōu)越的抗雪崩能力和短路耐受能力,提升了器件的耐用��
該功率MOSFET適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 汽車電子�(shè)備中的負載切換和控制�
5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的電源管理和功率分��
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護電路�
GA1206A6R8DBEBR31H, IRFZ44N, FDP5500