GA1206A820FXBBP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、電機驅動、逆變器等需要高效功率轉換的應用場景。該器件采用先進的制造工藝,在保證高效率的同時,還具有較低的導通電阻和快速的開關速度。
其封裝形式為行業(yè)標準封裝,便于設計者進行PCB布局優(yōu)化,同時具備良好的散熱性能,適合在高功率密度的設計中使用。
型號:GA1206A820FXBBP31G
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓:120V
額定電流:40A
導通電阻:8.2mΩ
柵極電荷:95nC
最大功耗:220W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247
GA1206A820FXBBP31G 的主要特性包括:
1. 高效的功率轉換能力,適用于高頻開關應用;
2. 極低的導通電阻(8.2mΩ),能夠顯著降低導通損耗;
3. 快速的開關速度,減少開關損耗;
4. 高耐壓能力(120V),確保在復雜環(huán)境下可靠運行;
5. 具備強大的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內保持穩(wěn)定性能;
6. 內置ESD保護功能,提高系統(tǒng)的抗干擾能力;
7. 符合RoHS環(huán)保標準,適合綠色產品設計。
這款芯片廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率級控制;
2. 電機驅動電路中的開關元件;
3. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊;
4. 工業(yè)自動化設備中的高效功率管理;
5. 電動車及混合動力車的電池管理系統(tǒng)(BMS);
6. LED驅動器中的功率調節(jié)組件。
GA1206A820FXBBP28G, IRF1206ZFPBF