GA1206A820JBEBT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于高頻開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其設(shè)�(jì)�(yōu)化了在高電流和高頻工作條件下的性能表現(xiàn)。此外,它還具備出色的熱�(wěn)定性和抗浪涌能�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)��
型號(hào):GA1206A820JBEBT31G
類型:N溝道功率MOSFET
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極電壓):820V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�0.15Ω
Id(連續(xù)漏極電流):12A
fsw(最大開�(guān)頻率):100kHz
�(jié)溫范圍:-55� to +150�
功耗:200W
GA1206A820JBEBT31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:Vds高達(dá)820V,可滿足高壓�(yīng)用需求�
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為0.15Ω,在大電流條件下減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能:支持高�(dá)100kHz的開�(guān)頻率,適合高頻電��
4. 出色的熱性能:通過�(yōu)化封裝設(shè)�(jì),提高了散熱效率,保證長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 抗浪涌能力強(qiáng):能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定工�,避免因瞬時(shí)電壓尖峰引起的損��
6. 寬溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的工作�(huán)境,適應(yīng)各種氣候條��
GA1206A820JBEBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器中,提供高效的電能轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度和方��
3. 工業(yè)自動(dòng)化:在工廠自�(dòng)化系�(tǒng)中作為功率開�(guān)元件�
4. 汽車電子:用于汽車電子控制系�(tǒng)中的�(fù)載切��
5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):如太陽(yáng)能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率管理�
6. LED照明:為高功率LED燈具提供�(wěn)定的電流�(qū)�(dòng)�
GA1206A820JBE, IRFP460, STP12NM80E