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GA1206A821JXEBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 20:34:01 查看 閱讀�15

GA1206A821JXEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各類電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了在高頻開(kāi)�(guān)條件下的性能表現(xiàn),同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和耐用�,適合要求嚴(yán)格的工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=19ns, toff=47ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206A821JXEBT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有效降低功��
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 高電流處理能力,滿足大功率應(yīng)用需��
  4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,確保在極端溫度條件下的可靠�(yùn)��
  5. 緊湊封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于集成到各種電路��
  6. 高耐壓能力,提供額外的安全裕度,防止過(guò)壓損��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

該型�(hào)廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率開(kāi)�(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)�(kāi)�(guān)�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  6. 汽車電子中的高可靠性功率管理單��
  7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5500
  AO3400

ga1206a821jxebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-