GA1206A821JXLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的溝槽式制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場景�
此型號中的部分字母和�(shù)字代表了其封裝形式、耐壓等級、導(dǎo)通電阻等具體參數(shù),適合高效率、高頻率的應(yīng)用環(huán)��
類型:N溝道增強型MOSFET
電壓等級�650V
�(dǎo)通電阻:82mΩ(典型值)
電流能力�14A(連續(xù)漏極電流�
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
柵極電荷�29nC(最大值)
輸入電容�1450pF(典型值)
GA1206A821JXLBR31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的可靠性�
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間,便于緊湊型�(shè)��
這款 MOSFET 芯片適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 的主開關(guān)管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓電路�
3. 電機�(qū)動電�,用于控制直流無刷電機或步進電��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
GA1206A821JXLBR28G, IRFZ44N, FDP5580NL