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GA1206A821KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 19:22:30 查看 閱讀:14

GA1206A821KBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱損耗。
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其封裝形式為 TO-247-3L,具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A821KBBBR31G
  類(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  Vds(漏源電壓):1200V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):82mΩ(典型值,在 Vgs=15V 時(shí))
  Id(連續(xù)漏極電流):21A
  Ptot(總功耗):210W
  結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
  封裝:TO-247-3L

特性

GA1206A821KBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:該芯片支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
  2. 低導(dǎo)通電阻:在 Vgs=15V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅為 82mΩ,從而減少了導(dǎo)通損耗,提高了整體效率。
  3. 高電流承載能力:可承受最大 21A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率設(shè)備的需求。
  4. 快速開(kāi)關(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使得該 MOSFET 具備快速開(kāi)關(guān)能力,降低了開(kāi)關(guān)損耗。
  5. 優(yōu)秀的熱性能:采用 TO-247-3L 封裝,提供出色的散熱能力,確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 寬工作溫度范圍:支持從 -55℃ 到 +175℃ 的結(jié)溫范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作條件。

應(yīng)用

GA1206A821KBBBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):
   在開(kāi)關(guān)電源中作為主開(kāi)關(guān)管使用,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):
   用于工業(yè)控制中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),支持高功率輸出和精確控制。
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:
   在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)功能。
  4. 太陽(yáng)能逆變器:
   作為關(guān)鍵的功率器件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
  5. 電動(dòng)車(chē)輛:
   在電動(dòng)車(chē)或混合動(dòng)力汽車(chē)的電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

替代型號(hào)

GA1206A821KBBBR31H, IRFP260N, FDP18N12A

ga1206a821kbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-