GA1206A821KBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱損耗。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其封裝形式為 TO-247-3L,具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。
型號(hào):GA1206A821KBBBR31G
類(lèi)型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源電壓):1200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):82mΩ(典型值,在 Vgs=15V 時(shí))
Id(連續(xù)漏極電流):21A
Ptot(總功耗):210W
結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
封裝:TO-247-3L
GA1206A821KBBBR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:該芯片支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻:在 Vgs=15V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅為 82mΩ,從而減少了導(dǎo)通損耗,提高了整體效率。
3. 高電流承載能力:可承受最大 21A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率設(shè)備的需求。
4. 快速開(kāi)關(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使得該 MOSFET 具備快速開(kāi)關(guān)能力,降低了開(kāi)關(guān)損耗。
5. 優(yōu)秀的熱性能:采用 TO-247-3L 封裝,提供出色的散熱能力,確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 寬工作溫度范圍:支持從 -55℃ 到 +175℃ 的結(jié)溫范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作條件。
GA1206A821KBBBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):
在開(kāi)關(guān)電源中作為主開(kāi)關(guān)管使用,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):
用于工業(yè)控制中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),支持高功率輸出和精確控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:
在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)功能。
4. 太陽(yáng)能逆變器:
作為關(guān)鍵的功率器件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
5. 電動(dòng)車(chē)輛:
在電動(dòng)車(chē)或混合動(dòng)力汽車(chē)的電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
GA1206A821KBBBR31H, IRFP260N, FDP18N12A