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GA1206A821KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 19:22:30 查看 閱讀�14

GA1206A821KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱損��
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式� TO-247-3L,具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A821KBBBR31G
  �(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  Vds(漏源電壓)�1200V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�82mΩ(典型�,在 Vgs=15V �(shí)�
  Id(連續(xù)漏極電流):21A
  Ptot(總功耗)�210W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝:TO-247-3L

特�

GA1206A821KBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:該芯片支持高達(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)用�
  2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=15V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅� 82mΩ,從而減少了�(dǎo)通損�,提高了整體效率�
  3. 高電流承載能力:可承受最� 21A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率�(shè)備的需��
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使得� MOSFET 具備快速開(kāi)�(guān)能力,降低了�(kāi)�(guān)損��
  5. �(yōu)秀的熱性能:采� TO-247-3L 封裝,提供出色的散熱能力,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結(jié)溫范�,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�

�(yīng)�

GA1206A821KBBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
   在開(kāi)�(guān)電源中作為主�(kāi)�(guān)管使�,提供高效的能量�(zhuǎn)換�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   用于工業(yè)控制中的電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),支持高功率輸出和精確控��
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器�
   � DC-DC �(zhuǎn)換器中實(shí)�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)功能�
  4. 太陽(yáng)能逆變器:
   作為�(guān)鍵的功率器件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
  5. 電動(dòng)�(chē)輛:
   在電�(dòng)�(chē)或混合動(dòng)力汽�(chē)的電力電子系�(tǒng)中發(fā)揮重要作��

替代型號(hào)

GA1206A821KBBBR31H, IRFP260N, FDP18N12A

ga1206a821kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-