GA1206A821KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱損��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式� TO-247-3L,具備良好的散熱性能,適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�
型號(hào):GA1206A821KBBBR31G
�(lèi)型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源電壓)�1200V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�82mΩ(典型�,在 Vgs=15V �(shí)�
Id(連續(xù)漏極電流):21A
Ptot(總功耗)�210W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝:TO-247-3L
GA1206A821KBBBR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:該芯片支持高達(dá) 1200V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)用�
2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=15V 的條件下,導(dǎo)通電阻僅� 82mΩ,從而減少了�(dǎo)通損�,提高了整體效率�
3. 高電流承載能力:可承受最� 21A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率�(shè)備的需��
4. 快速開(kāi)�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使得� MOSFET 具備快速開(kāi)�(guān)能力,降低了�(kāi)�(guān)損��
5. �(yōu)秀的熱性能:采� TO-247-3L 封裝,提供出色的散熱能力,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結(jié)溫范�,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�
GA1206A821KBBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
在開(kāi)�(guān)電源中作為主�(kāi)�(guān)管使�,提供高效的能量�(zhuǎn)換�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
用于工業(yè)控制中的電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),支持高功率輸出和精確控��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器�
� DC-DC �(zhuǎn)換器中實(shí)�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)功能�
4. 太陽(yáng)能逆變器:
作為�(guān)鍵的功率器件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
5. 電動(dòng)�(chē)輛:
在電�(dòng)�(chē)或混合動(dòng)力汽�(chē)的電力電子系�(tǒng)中發(fā)揮重要作��
GA1206A821KBBBR31H, IRFP260N, FDP18N12A