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GA1206A822JBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 22:07:47 查看 閱讀:13

GA1206A822JBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。
  其封裝形式為 LFPAK56D,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提升整體效率。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A822JBBBR31G
  類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電壓(Vds):12V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):70A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ
  功耗(Pd):120W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
  封裝:LFPAK56D

特性

GA1206A822JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),僅為 1.4mΩ,有助于減少功率損耗,提高效率。
  2. 支持高達(dá) 70A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 高速開(kāi)關(guān)能力,能夠在高頻電路中提供卓越的性能。
  4. 良好的熱性能設(shè)計(jì),可確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  6. 采用 LFPAK56D 封裝,具備良好的散熱特性和機(jī)械強(qiáng)度。
  這些特點(diǎn)使 GA1206A822JBBBR31G 成為需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇。

應(yīng)用

該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,適用于各種類型的電動(dòng)機(jī)控制。
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于電動(dòng)汽車和其他便攜式設(shè)備。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 充電器和適配器中的功率級(jí)組件。
  由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,GA1206A822JBBBR31G 在需要高效能量傳輸和快速響應(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號(hào)

IRLB8748PBF
  FDP16N12
  IXFN120N10T2

ga1206a822jbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-