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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A822JBBBR31G

GA1206A822JBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 22:07:47 查看 閱讀�13

GA1206A822JBBBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)�(guān)電路以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能�
  其封裝形式為 LFPAK56D,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提升整體效率�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A822JBBBR31G
  類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電�(Vds)�12V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�70A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4mΩ
  功�(Pd)�120W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝:LFPAK56D

特�

GA1206A822JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 1.4mΩ,有助于減少功率損耗,提高效率�
  2. 支持高達(dá) 70A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠在高頻電路中提供卓越的性能�
  4. 良好的熱性能�(shè)�(jì),可確保在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 采用 LFPAK56D 封裝,具備良好的散熱特性和�(jī)械強(qiáng)��
  這些特點(diǎn)� GA1206A822JBBBR31G 成為需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選��

�(yīng)�

該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS),如 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,適用于各種類型的電�(dòng)�(jī)控制�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于電�(dòng)汽車和其他便攜式�(shè)備�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 充電器和適配器中的功率級(jí)組件�
  由于其高電流處理能力和低�(dǎo)通電�,GA1206A822JBBBR31G 在需要高效能量傳輸和快速響�(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRLB8748PBF
  FDP16N12
  IXFN120N10T2

ga1206a822jbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-