GA1206A822JBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。
其封裝形式為 LFPAK56D,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提升整體效率。
型號(hào):GA1206A822JBBBR31G
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電壓(Vds):12V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):70A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ
功耗(Pd):120W
結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
封裝:LFPAK56D
GA1206A822JBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),僅為 1.4mΩ,有助于減少功率損耗,提高效率。
2. 支持高達(dá) 70A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 高速開(kāi)關(guān)能力,能夠在高頻電路中提供卓越的性能。
4. 良好的熱性能設(shè)計(jì),可確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
6. 采用 LFPAK56D 封裝,具備良好的散熱特性和機(jī)械強(qiáng)度。
這些特點(diǎn)使 GA1206A822JBBBR31G 成為需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的理想選擇。
該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,適用于各種類型的電動(dòng)機(jī)控制。
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于電動(dòng)汽車和其他便攜式設(shè)備。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
5. 充電器和適配器中的功率級(jí)組件。
由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,GA1206A822JBBBR31G 在需要高效能量傳輸和快速響應(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
IRLB8748PBF
FDP16N12
IXFN120N10T2