GA1206A8R2BBBBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式� TO-247,適合大功率�(yīng)用場��
該型號具體屬� N 治道增強� MOSFET,能夠在高頻和高效率的應(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn),例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.08Ω
柵極電荷�55nC
總電容:1500pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
功耗:360W
GA1206A8R2BBBBR31G �. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場�,從而減小磁性元件的體積�
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠承受高溫環(huán)境下的長期運行�
4. 強大的雪崩能�,確保在異常條件下也能安全工��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特點使它成為工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和控制電路�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率管��
4. 電動車和混合動力車中的牽引逆變��
5. 高壓電源模塊和不間斷電源(UPS��
由于其高耐壓和低損耗特性,它非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
GA1206A8R2BBCCBR31G, IRFP460, FQA14P120E