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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y103JXABT31G

GA1206Y103JXABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 13:00:32 查看 閱讀�2

GA1206Y103JXABT31G是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專(zhuān)為高�、高壓應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著提升電力轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的性能和效率�
  此型�(hào)中的部分字符可能代表特定參數(shù),例如工作電壓、封裝形式或品質(zhì)等級(jí)。具體含義需要參考制造商提供的數(shù)�(jù)手冊(cè)�

參數(shù)

�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET)
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:30mΩ
  柵極電荷�90nC
  �(kāi)�(guān)頻率范圍:高�(dá)5MHz
  工作溫度范圍�-40� � +125�
  封裝形式:TO-247-4

特�

GA1206Y103JXABT31G具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),這使其非常適合高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(wú)線充電等�(yīng)��
  其氮化鎵材料的使用提供了比傳�(tǒng)硅基器件更高的功率密度和效率,同�(shí)減少了熱耗散�
  此外,該器件還具備良好的抗電磁干擾能力,并能在極端溫度條件下保持�(wěn)定性能�
  為了確保可靠�,該芯片�(jīng)�(guò)了嚴(yán)格的篩選和測(cè)試流�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于各種高性能電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  - 高頻AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 太陽(yáng)能逆變�
  - 電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)
  - 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  - �(wú)線充電模�
  - �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元
  由于其高效性和緊湊�(shè)�(jì),它也非常適合對(duì)空間和重量有限制的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GAN063-650WSA
  GAN064-650WSB
  TP65H035G4
  STGG060N060D
  GXT010A65B

ga1206y103jxabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容10000 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-