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GA1206Y103MBJBT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 16:46:07 查看 閱讀:14

GA1206Y103MBJBT31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,主要用于高頻和高功率密度的應用場景。該型號屬于增強型常關型(E-Mode)晶體管,具有極低的導通電阻和快速開關特性,非常適合用于電源轉換、射頻放大器以及工業(yè)級功率系統(tǒng)中。
  該器件采用了先進的封裝工藝,能夠提供出色的散熱性能,并且支持表面貼裝(SMD),便于自動化生產(chǎn)。

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN)
  額定電壓:650V
  額定電流:8A
  導通電阻:10mΩ
  柵極電荷:40nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝類型:LFPAK8
  輸入電容:950pF
  輸出電容:35pF
  反向恢復時間:無(由于是E-Mode GaN晶體管)

特性

GA1206Y103MBJBT31G 擁有卓越的電氣特性和可靠性,具體包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),顯著減少傳導損耗。
  2. 快速開關速度,有效降低開關損耗。
  3. 支持零電壓開關(ZVS)拓撲結構,進一步提高效率。
  4. 內(nèi)置ESD保護電路,增強了芯片的抗靜電能力。
  5. 兼容標準硅MOSFET驅(qū)動器,簡化設計過程。
  6. 高溫穩(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下依然可靠運行。
  7. 符合RoHS環(huán)保標準,滿足全球市場要求。

應用

該器件廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器。
  2. 數(shù)據(jù)中心和服務器的高效電源模塊。
  3. 太陽能逆變器中的功率轉換階段。
  4. 電動車輛(EV)和混合動力車輛(HEV)中的車載充電器及DC-DC轉換器。
  5. 工業(yè)電機驅(qū)動和伺服控制。
  6. 射頻功率放大器和其他高頻通信設備。

替代型號

GAN063-650WSA
  GAN064-650WSB
  GAN066-650WSA

ga1206y103mbjbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容10000 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-