GA1206Y103MBJBT31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,主要用于高頻和高功率密度的應用場景。該型號屬于增強型常關型(E-Mode)晶體管,具有極低的導通電阻和快速開關特性,非常適合用于電源轉換、射頻放大器以及工業(yè)級功率系統(tǒng)中。
該器件采用了先進的封裝工藝,能夠提供出色的散熱性能,并且支持表面貼裝(SMD),便于自動化生產(chǎn)。
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN)
額定電壓:650V
額定電流:8A
導通電阻:10mΩ
柵極電荷:40nC
最大工作溫度:175°C
封裝類型:LFPAK8
輸入電容:950pF
輸出電容:35pF
反向恢復時間:無(由于是E-Mode GaN晶體管)
GA1206Y103MBJBT31G 擁有卓越的電氣特性和可靠性,具體包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),顯著減少傳導損耗。
2. 快速開關速度,有效降低開關損耗。
3. 支持零電壓開關(ZVS)拓撲結構,進一步提高效率。
4. 內(nèi)置ESD保護電路,增強了芯片的抗靜電能力。
5. 兼容標準硅MOSFET驅(qū)動器,簡化設計過程。
6. 高溫穩(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下依然可靠運行。
7. 符合RoHS環(huán)保標準,滿足全球市場要求。
該器件廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS),如AC-DC適配器和充電器。
2. 數(shù)據(jù)中心和服務器的高效電源模塊。
3. 太陽能逆變器中的功率轉換階段。
4. 電動車輛(EV)和混合動力車輛(HEV)中的車載充電器及DC-DC轉換器。
5. 工業(yè)電機驅(qū)動和伺服控制。
6. 射頻功率放大器和其他高頻通信設備。
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
GAN066-650WSA