GA1206Y103MXABR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具有低寄生電感和�(yōu)異的散熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻功率放大器等�(chǎng)��
這款 GaN 器件因其快速開�(guān)特性和高擊穿電壓而受到廣泛關(guān)�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能量損��
型號(hào):GA1206Y103MXABR31G
類型:GaN HEMT
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
柵極�(qū)�(dòng)電壓范圍�4V � 6V
工作溫度范圍�-40� � +125�
封裝形式:TO-263-7
GA1206Y103MXABR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高效開關(guān)能力:得益于 GaN 技�(shù),該器件能夠在高頻下保持較低的開�(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度:具備極短的開關(guān)�(shí)間和低反向恢�(fù)電荷,使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)卓越�
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠有效管理芯片產(chǎn)生的熱量,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
4. 良好的電氣隔離:器件�(nèi)部結(jié)�(gòu)提供了優(yōu)秀的抗干擾能力,使其適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)用�
5. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件體積更小,有助于降低整體解決方案的尺��
該元器件主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高電源�(zhuǎn)換效�,特別是在筆記本適配�、手�(jī)快充等產(chǎn)品中�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適用于工業(yè)�(jí)或汽車級(jí) DC-DC 模塊,提供更高的功率密度�
3. 射頻功率放大器:支持無線通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高頻率和大功率傳輸需求�
4. 新能源領(lǐng)域:例如太陽能逆變器和電動(dòng)汽車車載充電�,需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于實(shí)�(xiàn)更高效的電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)方案�
GAN063-650WSA
GAN064-650WSA
Transphorm TP65H090G4LSG