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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y103MXABR31G

GA1206Y103MXABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 17:39:10 查看 閱讀�23

GA1206Y103MXABR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具有低寄生電感和�(yōu)異的散熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻功率放大器等�(chǎng)��
  這款 GaN 器件因其快速開�(guān)特性和高擊穿電壓而受到廣泛關(guān)�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能量損��

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y103MXABR31G
  類型:GaN HEMT
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�75mΩ
  柵極�(qū)�(dòng)電壓范圍�4V � 6V
  工作溫度范圍�-40� � +125�
  封裝形式:TO-263-7

特�

GA1206Y103MXABR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高效開關(guān)能力:得益于 GaN 技�(shù),該器件能夠在高頻下保持較低的開�(guān)損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度:具備極短的開關(guān)�(shí)間和低反向恢�(fù)電荷,使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)卓越�
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠有效管理芯片產(chǎn)生的熱量,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 良好的電氣隔離:器件�(nèi)部結(jié)�(gòu)提供了優(yōu)秀的抗干擾能力,使其適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)用�
  5. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件體積更小,有助于降低整體解決方案的尺��

�(yīng)�

該元器件主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高電源�(zhuǎn)換效�,特別是在筆記本適配�、手�(jī)快充等產(chǎn)品中�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:適用于工業(yè)�(jí)或汽車級(jí) DC-DC 模塊,提供更高的功率密度�
  3. 射頻功率放大器:支持無線通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高頻率和大功率傳輸需求�
  4. 新能源領(lǐng)域:例如太陽能逆變器和電動(dòng)汽車車載充電�,需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于實(shí)�(xiàn)更高效的電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)方案�

替代型號(hào)

GAN063-650WSA
  GAN064-650WSA
  Transphorm TP65H090G4LSG

ga1206y103mxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容10000 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-