GA1206Y122JBJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
這款器件屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其設(shè)計(jì)優(yōu)化了動(dòng)態(tài)特性和靜態(tài)特性之間的平衡,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。此外,該型號(hào)還具有出色的短路耐受能力和抗浪涌能力,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
類型:MOSFET
封裝形式:TO-247
VDS(漏源極電壓):1200V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):0.06Ω
ID(連續(xù)漏電流):30A
Qg(柵極電荷):95nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
fT(特征頻率):2.8MHz
GA1206Y122JBJBR31G 的主要特點(diǎn)包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
2. 高擊穿電壓 VDS,確保在高壓應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性。
3. 短路保護(hù)功能增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 快速開關(guān)特性使得該芯片適用于高頻 PWM 控制電路。
5. 寬泛的工作溫度范圍使其適合各種工業(yè)與汽車級(jí)應(yīng)用。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保,無鉛設(shè)計(jì)。
7. 內(nèi)部集成的保護(hù)機(jī)制可以防止過壓、過流及熱失控等問題發(fā)生。
GA1206Y122JBJBR31G 廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率管理模塊。
3. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電磁閥控制。
4. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 的車載充電器與牽引逆變器。
5. 不間斷電源 (UPS) 和電池管理系統(tǒng) (BMS)。
6. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)照明解決方案。
7. 各種需要高電壓大電流處理能力的電子裝置中作為核心功率開關(guān)元件。
GA1206Y122JBJBR32G, IRFP460, FQA16P120