国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1206Y122JXJBR31G

GA1206Y122JXJBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 17:41:33 查看 閱讀�14

GA1206Y122JXJBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要應用于電源管�、開�(guān)電源和電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能��
  該型號屬于增強型 N 溝道場效應晶體管 (N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor),其�(shè)計優(yōu)化了在高頻工作條件下的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�25nC
  總電容:450pF
  功耗:144W
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1206Y122JXJBR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導通電�,有效減少傳導損��
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應��
  3. 高雪崩能量耐受�,增強了器件的可靠��
  4. 采用緊湊型封裝技�(shù),節(jié)� PCB 空間�
  5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保�
  這些特性使得該器件在各種高效率功率�(zhuǎn)換應用中表現(xiàn)出色�

應用

該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supplies)�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器�
  3. 電機�(qū)動控��
  4. 電池管理系統(tǒng) (Battery Management Systems, BMS)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)�
  6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效電源解決方��
  由于其卓越的電氣特性和可靠�,GA1206Y122JXJBR31G 成為許多高要求應用場景的理想選擇�

替代型號

GA1206Y122JXJBR32G, IRFZ44N, FDP55N06L

ga1206y122jxjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-