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GA1206Y122JXLBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 22:12:19 查看 閱讀�15

GA1206Y122JXLBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于電源管理、電機驅(qū)動以及開�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能�
  該型號屬于增強型 N 溝道場效�(yīng)晶體�,廣泛應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制及汽車電子等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�70nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y122JXLBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效減少功率損耗并提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場��
  3. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在極端溫度條件下仍能保持可靠運行�
  4. �(nèi)� ESD 保護電路,增強了�(chǎn)品的耐用性和抗干擾能力�
  5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保�
  這些特點使該芯片非常適合用于高效� DC/DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)和同步整流電路等�(shè)計中�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC/DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  2. 工業(yè)�(shè)備中的電機控制和逆變��
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和電池管理�
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方��
  5. 電信�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換模��
  其卓越的性能表現(xiàn)使其成為許多�(fù)雜電路設(shè)計的理想選擇�

替代型號

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP55N06L

ga1206y122jxlbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-