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GA1206Y122KXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 15:21:46 查看 閱讀:13

GA1206Y122KXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),也具備了較高的開關(guān)速度和優(yōu)良的熱性能。
  此型號(hào)屬于功率MOSFET家族中的增強(qiáng)型N溝道器件,能夠在高頻開關(guān)條件下提供高效的電能轉(zhuǎn)換,并且在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  額定電壓:600V
  額定電流:12A
  導(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷:50nC
  開關(guān)頻率:最高支持500kHz
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y122KXCBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可以有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,使得其非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,同時(shí)減少開關(guān)損耗。
  3. 高額定電壓(600V),能夠承受更高的反向電壓沖擊,增強(qiáng)了器件的可靠性。
  4. 熱性能優(yōu)異,具備良好的散熱設(shè)計(jì),確保在高負(fù)載條件下依然維持穩(wěn)定的性能。
  5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的使用需求。
  6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,易于集成到不同的電路板設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開關(guān)管。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓拓?fù)洹?br>  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理單元。
  6. 各類高效能電力轉(zhuǎn)換裝置,如光伏逆變器、不間斷電源 (UPS) 等。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP120N10
  FDP5800

ga1206y122kxcbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-