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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y122KXJBT31G

GA1206Y122KXJBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 9:14:00 查看 閱讀�15

GA1206Y122KXJBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,在導(dǎo)通電�、開�(guān)速度和熱性能等方面具有優(yōu)異的表現(xiàn)�
  這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于高效率、高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)�,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�6A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ
  總柵極電�(Qg)�35nC
  輸入電容(Ciss)�1780pF
  輸出電容(Coss)�340pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�90ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206Y122KXJBT31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,可以支持高頻操�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
  3. 高耐壓能力�120V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(qiáng)大的電流處理能力�6A�,可滿足多種大功率應(yīng)用的要求�
  5. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化布局�
  這些特性使得該器件成為高效能、緊湊型電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��

�(yīng)�

GA1206Y122KXJBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 通信電源
  6. 汽車電子
  7. 太陽能逆變�
  其高效能和可靠性使其非常適合需要高功率密度和低能耗的�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP55N06L

ga1206y122kxjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-