GA1206Y122KXJBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,在導(dǎo)通電�、開�(guān)速度和熱性能等方面具有優(yōu)異的表現(xiàn)�
這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于高效率、高頻工作的�(yīng)用場(chǎng)�,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ
總柵極電�(Qg)�35nC
輸入電容(Ciss)�1780pF
輸出電容(Coss)�340pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�90ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1206Y122KXJBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,可以支持高頻操�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
3. 高耐壓能力�120V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. �(qiáng)大的電流處理能力�6A�,可滿足多種大功率應(yīng)用的要求�
5. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
6. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化布局�
這些特性使得該器件成為高效能、緊湊型電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��
GA1206Y122KXJBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 通信電源
6. 汽車電子
7. 太陽能逆變�
其高效能和可靠性使其非常適合需要高功率密度和低能耗的�(chǎng)��
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L