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GA1206Y122KXJBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 9:14:00 查看 閱讀:15

GA1206Y122KXJBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度和熱性能等方面具有優(yōu)異的表現(xiàn)。
  這款功率MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,適用于高效率、高頻工作的應(yīng)用場(chǎng)景,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體性能。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):6A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):12mΩ
  總柵極電荷(Qg):35nC
  輸入電容(Ciss):1780pF
  輸出電容(Coss):340pF
  反向恢復(fù)時(shí)間(trr):90ns
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y122KXJBT31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,可以支持高頻操作,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需求。
  3. 高耐壓能力(120V),確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 強(qiáng)大的電流處理能力(6A),可滿足多種大功率應(yīng)用的要求。
  5. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性。
  6. 小型化封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化布局。
  這些特性使得該器件成為高效能、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇。

應(yīng)用

GA1206Y122KXJBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
  5. 通信電源
  6. 汽車電子
  7. 太陽能逆變器
  其高效能和可靠性使其非常適合需要高功率密度和低能耗的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP55N06L

ga1206y122kxjbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-