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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y122MBCBR31G

GA1206Y122MBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 23:34:35 查看 閱讀�16

GA1206Y122MBCBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換和電源管理�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)旨在提高效率并減少功率損�,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
  該型�(hào)的命名規(guī)則通常包含�(duì)其封裝形式、電氣參�(shù)以及�(nèi)部結(jié)�(gòu)的信息編�,具體細(xì)節(jié)可能需要參考制造商的技�(shù)文檔�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
  總功耗:140W
  �(jié)溫范圍:-55°C to 175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206Y122MBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,使其適用于大功率應(yīng)用�
  3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗,適合高頻操作�
  4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下工作�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  這些特點(diǎn)使該 MOSFET 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇,例如電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器等�

�(yīng)�

GA1206Y122MBCBR31G 廣泛用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
  2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源模塊�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
  4. 汽車電子中的�(fù)載切換和電源管理�
  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)器和固態(tài)照明�
  由于其卓越的性能和靈活�,這款 MOSFET 可以在多種高功率密度�(chǎng)合中�(fā)揮作��

替代型號(hào)

IRFP2907, FDP18N65C6, STP120NF60

ga1206y122mbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-