GA1206Y122MBCBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換和電源管理�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)旨在提高效率并減少功率損�,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
該型�(hào)的命名規(guī)則通常包含�(duì)其封裝形式、電氣參�(shù)以及�(nèi)部結(jié)�(gòu)的信息編�,具體細(xì)節(jié)可能需要參考制造商的技�(shù)文檔�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
總功耗:140W
�(jié)溫范圍:-55°C to 175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y122MBCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,使其適用于大功率應(yīng)用�
3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗,適合高頻操作�
4. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下工作�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
這些特點(diǎn)使該 MOSFET 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇,例如電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器等�
GA1206Y122MBCBR31G 廣泛用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路�
2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源模塊�
3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
4. 汽車電子中的�(fù)載切換和電源管理�
5. 大功� LED �(qū)�(dòng)器和固態(tài)照明�
由于其卓越的性能和靈活�,這款 MOSFET 可以在多種高功率密度�(chǎng)合中�(fā)揮作��
IRFP2907, FDP18N65C6, STP120NF60