国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1206Y122MXJBT31G

GA1206Y122MXJBT31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/6 17:00:46 查看 閱讀:8

GA1206Y122MXJBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,屬于增強(qiáng)型 N 溝道器件。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等場景。其采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
  該型號的功率晶體管能夠在高頻工作條件下保持高效的性能表現(xiàn),同時具有出色的耐受能力和可靠性,非常適合工業(yè)及消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流:6A
  導(dǎo)通電阻(典型值):120mΩ
  柵極電荷:50nC
  開關(guān)時間(開啟/關(guān)閉):10ns/15ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃

特性

GA1206Y122MXJBT31G 的主要特點是其低導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損耗并提高效率。此外,它還擁有快速的開關(guān)速度,從而降低開關(guān)損耗,并且支持高頻操作。芯片設(shè)計中采用了優(yōu)化的封裝技術(shù),以確保良好的散熱性能和電氣隔離能力。
  此功率晶體管具有較高的抗雪崩能力和靜電防護(hù)能力,可提升系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性與可靠性。此外,該型號符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例如開關(guān)電源中的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換電路中的開關(guān)元件、LED 驅(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)的保護(hù)電路等。
  由于其出色的性能和可靠性,GA1206Y122MXJBT31G 還可以用于汽車電子設(shè)備中的負(fù)載切換、電機(jī)控制以及其他高要求的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。

替代型號

IRFZ44N
  STP12NK6LL
  FQP18N12

ga1206y122mxjbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-