GA1206Y124JBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等領(lǐng)域。其設(shè)計具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度等特性,能夠顯著提升系統(tǒng)性能并降低能耗。
該器件適用于需要高可靠性和高效能的應(yīng)用場景,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力。
型號:GA1206Y124JBCBR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):60A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
總功耗:150W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-247
GA1206Y124JBCBR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率。
2. 高擊穿電壓設(shè)計確保在高壓環(huán)境下的可靠性。
3. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計,支持更高的功率密度。
5. 強大的短路耐受能力,增強了系統(tǒng)的魯棒性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛焊接兼容。
GA1206Y124JBCBR31G 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流和主開關(guān)元件。
3. 工業(yè)電機驅(qū)動和逆變器電路。
4. 太陽能逆變器中的功率變換模塊。
5. 電動車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
6. 各種工業(yè)控制設(shè)備中的負(fù)載切換和保護電路。
IRFP260N
FDP18N120
STP120NF12