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GA1206Y124JXBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 21:49:43 查看 閱讀�18

GA1206Y124JXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)計。該芯片采用先進的半導(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高電流處理能力等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)��
  該器件屬� N 溝道增強� MOSFET,其�(shè)計能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率,并且支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和緊湊型�(shè)計�

參數(shù)

型號:GA1206Y124JXBBR31G
  類型:N溝道MOSFET
  封裝形式:TO-252(DPAK)
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  總功�(Ptot)�125W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  柵極電荷(Qg)�85nC

特�

GA1206Y124JXBBR31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(4mΩ�,可顯著減少�(dǎo)通損耗,提高效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)�,如開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 高電流承載能力(高達(dá) 40A�,滿足大功率需��
  4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在極端溫度條件下可靠運行(-55� � +175℃)�
  5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,簡化生�(chǎn)流程并節(jié)省空��
  6. 高可靠性設(shè)計,具備抗靜電保護功能(ESD >2kV��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計�

�(yīng)�

該芯片適用于多種電力電子�(yīng)用場�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
  2. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  3. 工業(yè)逆變器和不間斷電源(UPS)的核心組件�
  4. LED �(qū)動器和負(fù)載切換模��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開關(guān)�
  6. 各類 DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器�
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保護電路�

替代型號

IRFZ44N, FDP150AN60, STP40NF06L

ga1206y124jxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.12 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-