GA1206Y152MBXBR3OSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能功率管理的場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��
這款器件通常用于需要高頻開�(guān)和低損耗的電力電子�(yīng)用中,支持大電流�(fù)載,并具備良好的熱性能,有助于延長(zhǎng)�(shè)備的使用壽命�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�150A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)頻率:高�(dá)1MHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206Y152MBXBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,顯著減少導(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,可承受峰值電流沖��
3. 快速開�(guān)性能,適用于高頻電路�(shè)�(jì)�
4. �(nèi)置保�(hù)功能(如�(guò)溫保�(hù)�,增�(qiáng)器件的可靠��
5. 支持表面貼裝技�(shù),便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和AC-DC適配��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 新能源汽車及電動(dòng)車的電池管理系統(tǒng)�
4. 工業(yè)控制中的功率變換��
5. 大功率LED�(qū)�(dòng)電路�
6. 各類高頻DC-DC�(zhuǎn)換器模塊�
GA1206Y152MBXBR31H, IRF540N, FDP16N60