GA1206Y152MXBBR31G 是一款高性能的存儲器芯片,通常用于需要高可靠性和高速數(shù)�(jù)處理的應(yīng)用場�。該芯片屬于 NAND Flash 存儲系列,具有大容量和低功耗的特點。其�(shè)計優(yōu)化了�(shù)�(jù)讀寫速度和耐用�,適用于工業(yè)、通信和消費電子領(lǐng)��
該型號采用了先進的制程工藝,能夠提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備多種保護機制以確保�(shù)�(jù)的安全性和完整��
類型128GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
封裝形式:BGA
工作溫度范圍�-40� � +85�
擦寫壽命�3000�
GA1206Y152MXBBR31G 提供大容量存儲解決方�,采� Toggle DDR 2.0 接口,支持高� 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率。該芯片具備較低的工作電壓和高效的功耗管理,能夠在寬溫范圍內(nèi)�(wěn)定運��
此外,該芯片�(nèi)� ECC(錯誤校正碼)功�,可有效減少�(shù)�(jù)傳輸中的誤碼率,并通過磨損均衡技�(shù)延長使用壽命。在安全性方�,支持數(shù)�(jù)加密功能,滿足對�(shù)�(jù)隱私有較高要求的�(yīng)用需��
這款芯片還集成了多種省電模式,可根據(jù)實際使用情況動態(tài)�(diào)整功耗,從而提升系�(tǒng)的整體能��
GA1206Y152MXBBR31G 廣泛�(yīng)用于固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及消費類電子�(chǎn)品中。例�,它可以作為主存儲介�(zhì)用于�(shù)�(jù)中心、監(jiān)控系�(tǒng)或汽車電子系�(tǒng)��
由于其出色的性能和可靠�,該芯片特別適合需要頻繁讀寫操作且對環(huán)境適�(yīng)能力要求較高的場�,如工業(yè)自動化、視頻錄制設(shè)備等�
GA1206Y152MXBBR32G, GA1206Y152MXBBR30G