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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y153JBABT31G

GA1206Y153JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 13:10:47 查看 閱讀�2

GA1206Y153JBABT31G 是一款高性能的射頻功率放大器芯片,主要應(yīng)用于�(wú)�(xiàn)通信�(lǐng)域中的基站設(shè)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有高增益、高�(xiàn)性度和低失真的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)旨在�(mǎn)足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)高效能和�(wěn)定性的要求�
  該芯片支持多頻段操作,并具備良好的溫度穩(wěn)定性和可靠�,能夠適�(yīng)各種�(fù)雜的工作�(huán)��

參數(shù)

工作頻率范圍�700MHz-2700MHz
  輸出功率�40W(典型值)
  增益�15dB(典型值)
  效率�50%(典型值)
  供電電壓�28V
  工作溫度范圍�-40℃至+85�
  封裝形式:BGA

特�

GA1206Y153JBABT31G 芯片采用先�(jìn)� GaN(氮化鎵)技�(shù)制�,確保了其在高頻和高功率條件下的�(yōu)異表�(xiàn)。其�(nèi)部集成了匹配�(wǎng)�(luò)和偏置電�,簡(jiǎn)化了外圍電路�(shè)�(jì)并提高了系統(tǒng)的集成度�
  此外,該芯片還具備過(guò)熱保�(hù)和負(fù)載牽引保�(hù)功能,可有效防止因異常情況導(dǎo)致的器件損壞。其高線(xiàn)性度和低互調(diào)失真的特性使得它非常適合用于 LTE � 5G 基站等需要高�(shù)�(jù)速率和高�(zhì)量信�(hào)傳輸?shù)�?yīng)用場(chǎng)��
  該芯片在�(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了散熱需�,通過(guò)�(yōu)化布局和材料選�,保證了�(zhǎng)�(shí)間工作的�(wěn)定性。同�(shí),其寬頻帶設(shè)�(jì)使其能夠覆蓋多�(gè)通信頻段,為用戶(hù)提供了更大的靈活��

�(yīng)�

該芯片廣泛但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 宏基站和微基站中的射頻功率放大器模塊
  2. LTE � 5G �(wǎng)�(luò)中的�(fā)射機(jī)部分
  3. 多頻段、多制式基站系統(tǒng)
  4. 軍用及民用無(wú)�(xiàn)電通信�(shè)�
  5. 高效能射頻測(cè)試與�(cè)�?jī)x�
  由于其出色的性能和可靠�,GA1206Y153JBABT31G 在各�(lèi)高性能射頻�(yīng)用中均表�(xiàn)出色�

替代型號(hào)

GA1206Y153JBABT32G, GA1206Y153JBABT33G

ga1206y153jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-