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GA1206Y153KXABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 17:36:49 查看 閱讀�22

GA1206Y153KXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
  該芯片屬于溝道增強型 MOSFET,通過�(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)計能夠顯著降低功耗并提升效率,適用于需要高能效和小體積的設(shè)計場��

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�275W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  柵極電荷(Qg)�98nC

特�

GA1206Y153KXABR31G 的主要特點是其低導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少導通損耗并提高整體效率。此�,該器件具有快速開�(guān)特性,可以有效降低開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  其強大的散熱能力和大電流承載能力使其成為工業(yè)級和汽車級應(yīng)用的理想選擇。同時,該芯片還具備出色的電氣保護功�,包括過流保護和短路耐受能力,以確保系統(tǒng)運行的可靠��
  由于采用� TO-263 封裝形式,該器件便于安裝且兼容多� PCB �(shè)計需�??傮w而言,GA1206Y153KXABR31G 是一款兼顧性能與穩(wěn)定性的功率 MOSFET 解決方案�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、電機驅(qū)動、逆變�、不間斷電源(UPS)、電池管理系�(tǒng)(BMS)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
  在消費電子領(lǐng)�,它可用于筆記本適配器、手機快充頭及家用電器的電源管理部分;而在工業(yè)�(lǐng)域,則常見于伺服�(qū)動器、機器人控制�,該器件也適用于汽車電子中的啟動馬達控制和車載充電器等領(lǐng)��

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06
  FDP017N06Z

ga1206y153kxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-