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GA1206Y153KXABR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 17:36:49 查看 閱讀:22

GA1206Y153KXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。
  該芯片屬于溝道增強型 MOSFET,通過優(yōu)化的柵極驅(qū)動設(shè)計能夠顯著降低功耗并提升效率,適用于需要高能效和小體積的設(shè)計場景。

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):40A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  總功耗(Ptot):275W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  柵極電荷(Qg):98nC

特性

GA1206Y153KXABR31G 的主要特點是其低導通電阻(Rds(on)),這有助于減少導通損耗并提高整體效率。此外,該器件具有快速開關(guān)特性,可以有效降低開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  其強大的散熱能力和大電流承載能力使其成為工業(yè)級和汽車級應(yīng)用的理想選擇。同時,該芯片還具備出色的電氣保護功能,包括過流保護和短路耐受能力,以確保系統(tǒng)運行的可靠性。
  由于采用了 TO-263 封裝形式,該器件便于安裝且兼容多種 PCB 設(shè)計需求�?傮w而言,GA1206Y153KXABR31G 是一款兼顧性能與穩(wěn)定性的功率 MOSFET 解決方案。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、電機驅(qū)動、逆變器、不間斷電源(UPS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。
  在消費電子領(lǐng)域,它可用于筆記本適配器、手機快充頭及家用電器的電源管理部分;而在工業(yè)領(lǐng)域,則常見于伺服驅(qū)動器、機器人控制器,該器件也適用于汽車電子中的啟動馬達控制和車載充電器等領(lǐng)域。

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06
  FDP017N06Z

ga1206y153kxabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-