GA1206Y153MBBBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能�
該型�(hào)屬于溝道MOSFET系列,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的�(yán)格要求。通過(guò)�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并能有效降低系�(tǒng)的能��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�150V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�31A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y153MBBBT31G 的關(guān)鍵特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓確保了器件在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,如開(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和耐熱沖擊能力,可適應(yīng)惡劣的工作條��
5. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并增�(qiáng)性能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封裝�
該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的逆變器和斬波��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的功率控制部分�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電源管理�
由于其高效率和可靠�,這款MOSFET特別適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFP260N, STP30NF15W, FDP18N15