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GA1206Y154MBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:19:36 查看 閱讀�11

GA1206Y154MBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適合用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)��
  該型�(hào)屬于功率 MOSFET 系列,其�(shè)�(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。它通常被應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�150A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
  柵極電荷(典型值)�95nC
  最大功耗:280W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206Y154MBABR31G 的主要特�(diǎn)是具備非常低的導(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗,從而提升系�(tǒng)效率。同�(shí),該器件還擁有較低的柵極電荷,能�?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān),適用于高頻操作�(huán)境�
  此外,該 MOSFET 具有較高的雪崩擊穿能力和熱穩(wěn)定�,能夠在極端條件下可靠運(yùn)�。其�(jiān)固的�(shè)�(jì)和寬泛的工作溫度范圍使得該產(chǎn)品非常適合各種嚴(yán)苛的�(yīng)用場(chǎng)��
  為了�(yōu)化性能,此器件采用了專門的場(chǎng)效應(yīng)�(jié)�(gòu),從而�(jìn)一步降低了寄生電感的影�,并增強(qiáng)了動(dòng)�(tài)性能表現(xiàn)。綜合來(lái)�,這款 MOSFET 是需要高效能和高可靠性的電力電子�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. 工業(yè)逆變器及變頻�
  4. 太陽(yáng)能微逆變�
  5. 汽車電子中的�(fù)載切�
  6. 電池保護(hù)電路
  7. 通用功率�(zhuǎn)換與管理
  由于其出色的電氣特性和熱性能,GA1206Y154MBABR31G 在要求高效率和高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRFP2907,
  STP150N06,
  FDP150AN6,
  IXFN150N06T2

ga1206y154mbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.15 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-