GA1206Y154MXXBT31G 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生產(chǎn)的碳化硅 (SiC) 基肖特基二極�。該器件采用先進的 SiC 技�(shù),具有高效率、低開關(guān)損耗和出色的熱性能,適用于高頻和高功率應用。其封裝形式� TO-247-3,能夠提供優(yōu)異的散熱性能和可靠��
碳化硅材料的應用使得 GA1206Y154MXXBT31G 能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定工作,并具備更高的耐壓能力及更快的恢復速度,因此非常適合工�(yè)電源、太陽能逆變器、電動汽車充電系�(tǒng)以及其他對效率和可靠性要求較高的�(lǐng)��
最大正向電壓:1.8V
反向恢復時間�10ns
額定電流�6A
阻斷電壓�1200V
工作溫度范圍�-55� � 175�
熱阻(結(jié)到殼):0.5 �/W
GA1206Y154MXXBT31G 的主要特性包括:
1. 高效� SiC 材料技�(shù),顯著降低導通和開關(guān)損��
2. 極短的反向恢復時� (trr),有助于減少高頻操作中的能量損失�
3. 具備高達 1200V 的阻斷電壓,滿足高壓應用場景需��
4. 可承受高� 175� 的結(jié)�,適應惡劣的工作�(huán)境�
5. 封裝�(shè)計支持良好的散熱性能,確保長時間�(wěn)定運行�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
該型號廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)級開�(guān)電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
2. 太陽能逆變器中用于提高�(zhuǎn)換效率�
3. 電動汽車快速充電樁的核心組��
4. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動電路�
5. 任何需要高效功率處理與快速切換響應的�(shè)計場��
GB1206Y154MXXBT31G
GS1206Y154MXXBT31G