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GA1206Y183JXBBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 23:34:23 查看 閱讀�15

GA1206Y183JXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管�、電機驅(qū)動以及開關應用等領域。該芯片采用了先進的半導體制造工�,具有較低的導通電阻和快速的開關特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
  這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,支持高頻率工作模式,適合各種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的設計需求�

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  耐壓�60V
  持續(xù)漏極電流�31A
  導通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  總電容:1800pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206Y183JXBBT31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功��
  2. 快速的開關速度,降低了開關損耗并提高了系�(tǒng)效率�
  3. 良好的熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
  4. 高可靠性設計,適用于嚴苛的工作條件�
  5. 小型化封�,節(jié)省PCB空間并簡化布局設計�
  這些特點使該芯片非常適合用于高效能要求的場景,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�、逆變器和電池管理系統(tǒng)��

應用

GA1206Y183JXBBT31G廣泛應用于以下領域:
  1. 工業(yè)設備中的電源管理和電機控��
  2. 消費電子�(chǎn)品中的充電器和適配器�
  3. 通信設備中的信號切換與電源調(diào)節(jié)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載�(qū)動和保護電路�
  5. 太陽能逆變器及其他可再生能源相關設��
  其強大的性能和靈活性使得它成為眾多高功率密度應用的理想選擇�

替代型號

IRF3205
  FDP5800
  AOT290L

ga1206y183jxbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-