国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市�(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y183JXCBR31G

GA1206Y183JXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:46:58 查看 閱讀�17

GA1206Y183JXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其非常適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使用,同時(shí)確保系統(tǒng)的可靠性和高效��
  該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)。它具有較低的柵極電荷和輸出電容,有助于減少開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,其�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)也能夠承受較高的浪涌電流和電壓應(yīng)力�

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y183JXCBR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�120V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  最大漏極電�(ID)�60A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�3.5mΩ(典型�,VGS=10V�
  柵極電荷(Qg)�75nC
  總電�(Ciss)�4200pF
  工作溫度范圍(Top)�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206Y183JXCBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),從而降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(qiáng)大的電流處理能力,峰值電流可高達(dá) 60A�
  4. 出色的熱性能,確保在高功率密度下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 高耐壓能力,最大漏源電壓為 120V,適用于多種高壓�(chǎng)��
  6. 寬廣的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  7. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間�
  8. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�,例如變頻器和伺服驅(qū)�(dòng)��
  3. 太陽能逆變器中的功率級(jí)電路�
  4. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的牽引逆變��
  5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率管理的�(shè)��
  6. 各類高可靠性工�(yè)和通信電源解決方案�
  7. 快速充電器以及其他便攜式電子設(shè)備的電源管理部分�

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP17N120E

ga1206y183jxcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-