GA1206Y183JXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其非常適合在緊湊型設(shè)�(jì)中使用,同時(shí)確保系統(tǒng)的可靠性和高效��
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)。它具有較低的柵極電荷和輸出電容,有助于減少開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此�,其�(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)也能夠承受較高的浪涌電流和電壓應(yīng)力�
型號(hào):GA1206Y183JXCBR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(VDS)�120V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大漏極電�(ID)�60A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�3.5mΩ(典型�,VGS=10V�
柵極電荷(Qg)�75nC
總電�(Ciss)�4200pF
工作溫度范圍(Top)�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y183JXCBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),從而降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(qiáng)大的電流處理能力,峰值電流可高達(dá) 60A�
4. 出色的熱性能,確保在高功率密度下的穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 高耐壓能力,最大漏源電壓為 120V,適用于多種高壓�(chǎng)��
6. 寬廣的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
7. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間�
8. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�,例如變頻器和伺服驅(qū)�(dòng)��
3. 太陽能逆變器中的功率級(jí)電路�
4. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的牽引逆變��
5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率管理的�(shè)��
6. 各類高可靠性工�(yè)和通信電源解決方案�
7. 快速充電器以及其他便攜式電子設(shè)備的電源管理部分�
IRFP2907ZPBF, FDP17N120E