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GA1206Y184MBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 17:46:54 查看 閱讀�16

GA1206Y184MBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高頻工作條件下保持高效率和�(wěn)定��
  該芯片通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及負(fù)載切換等�(lǐng)�,其出色的性能參數(shù)使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y184MBABR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�60A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
  總功�(Ptot)�250W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y184MBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,適用于�(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性和可靠��
  4. �(yōu)化的熱性能,有助于改善散熱效果,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合廣泛工業(yè)�(yīng)��
  6. 具有較高的漏源電壓耐受能力,適用于多種高壓場景�

�(yīng)�

GA1206Y184MBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于工�(yè)控制和家用電��
  3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  5. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
  6. 高效照明系統(tǒng),例� LED �(qū)�(dòng)電源�

替代型號(hào)

GA1206Y184MBABR31H, IRFZ44N, FDP5500

ga1206y184mbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-