GA1206Y184MBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高頻工作條件下保持高效率和�(wěn)定��
該芯片通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及負(fù)載切換等�(lǐng)�,其出色的性能參數(shù)使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
型號(hào):GA1206Y184MBABR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�60A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
總功�(Ptot)�250W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1206Y184MBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,適用于�(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性和可靠��
4. �(yōu)化的熱性能,有助于改善散熱效果,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合廣泛工業(yè)�(yīng)��
6. 具有較高的漏源電壓耐受能力,適用于多種高壓場景�
GA1206Y184MBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于工�(yè)控制和家用電��
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
5. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
6. 高效照明系統(tǒng),例� LED �(qū)�(dòng)電源�
GA1206Y184MBABR31H, IRFZ44N, FDP5500