GA1206Y221MBLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等領域。該芯片采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能��
該器件支持高頻率操作,并且具有優(yōu)異的熱性能表現(xiàn),使其在緊湊型設計中仍然保持高效�(wěn)定的工作狀�(tài)�
型號:GA1206Y221MBLBR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�60A
導通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型�,于Vgs=10V時)
輸入電容(Ciss)�2200pF
總柵極電�(Qg)�95nC
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
GA1206Y221MBLBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻Rds(on),能夠顯著減少導通損�,提高整體效率�
2. 快速開關能�,支持高頻應�,有助于減小磁性元件體積�
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下持續(xù)可靠地運行�
4. �(nèi)置ESD保護電路,增強了器件的抗靜電能力�
5. 高電流承載能�,適用于大功率應用場��
6. 小型化封裝設�,便于在空間受限的應用中使用�
7. 符合RoHS標準,綠色環(huán)保無鉛工��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換級�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關��
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動控制�
4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)與逆變器模��
5. 工業(yè)自動化設備中的負載切換與功率�(diào)節(jié)�
6. 光伏逆變器和其他可再生能源相關產(chǎn)品中的功率處理單元�
GA1206Y221MBLBR32G, IRFZ44N, FDP55N12