GA1206Y222KXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),能夠在高頻工作條件下提供低�(dǎo)通電阻和高效率性能�
其封裝形式為 TO-263(D2PAK),能夠承受較高的電流和電壓需�,同�(shí)具備出色的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�70nC
總電容:220pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1206Y222KXJBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
4. �(nèi)置反向二極管,支持續(xù)流功�,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
6. 提供卓越的熱性能,適合高功率密度的設(shè)�(jì)需��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L