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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1206Y223MBABT31G

GA1206Y223MBABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 23:38:09 查看 閱讀�15

GA1206Y223MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等應用。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強型器件,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體性能。其封裝形式通常為表面貼裝類型,適合自動化生�(chǎn)和緊湊型設計需��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�95A
  導通電阻(典型值)�1.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�47nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝類型:TO-247

特�

GA1206Y223MBABT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,可有效減少功率損耗�
  2. 高額定電流能�,適用于大功率應用場合�
  3. 快速開關性能,支持高頻操作�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端條件下可靠運行�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
  6. 緊湊型設�,有助于減小整體電路板尺��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源和適配器�
  2. DC-DC轉換器和逆變��
  3. 電動工具和家用電器中的電機驅��
  4. 工業(yè)自動化設備的功率控制模塊�
  5. 新能源汽車及充電樁相關的電力電子系統(tǒng)�
  6. 其他需要高效功率管理的場景�

替代型號

IRFP2907,
  STP100NF10,
  FDP55N10,
  IXTH100N10T2

ga1206y223mbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-