GA1206Y224JBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景下�(wěn)定工��
這款器件主要�(shè)�(jì)用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)合,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電池充電器以及 LED �(qū)�(dòng)電路等。其封裝形式通常為表面貼裝類�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需求�
型號(hào):GA1206Y224JBXBR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�6mΩ(典型�,條件為Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):70A
Qg(柵極電荷)�85nC
Vgs(th)(柵源開(kāi)啟電壓)�2.5V~4.5V
f(最大工作頻率)�1MHz
�(jié)溫范圍:-55℃~175�
GA1206Y224JBXBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,可降低�(kāi)�(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
3. 高雪崩能量能力,確保在異常情況下也能提供可靠的保�(hù)�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,支持同步整流和續(xù)流功��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具備優(yōu)良的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�
GA1206Y224JBXBR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制模塊�
5. 高效 LED 照明�(qū)�(dòng)��
6. 通信電源� UPS 不間斷電源系�(tǒng)�
該芯片憑借其卓越的性能,能夠滿足多種復(fù)雜工況下的使用需求�
IRFZ44N, FDP5800, AOT290L