GA1206Y224JBXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路中。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景下穩(wěn)定工作。
這款器件主要設(shè)計(jì)用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器以及 LED 驅(qū)動(dòng)電路等。其封裝形式通常為表面貼裝類型,適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。
型號(hào):GA1206Y224JBXBR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):6mΩ(典型值,條件為Vgs=10V)
Id(連續(xù)漏極電流):70A
Qg(柵極電荷):85nC
Vgs(th)(柵源開(kāi)啟電壓):2.5V~4.5V
f(最大工作頻率):1MHz
結(jié)溫范圍:-55℃~175℃
GA1206Y224JBXBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,可降低開(kāi)關(guān)損耗并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
3. 高雪崩能量能力,確保在異常情況下也能提供可靠的保護(hù)。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,支持同步整流和續(xù)流功能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 采用先進(jìn)的封裝技術(shù),具備優(yōu)良的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性。
GA1206Y224JBXBR31G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制模塊。
5. 高效 LED 照明驅(qū)動(dòng)器。
6. 通信電源和 UPS 不間斷電源系統(tǒng)。
該芯片憑借其卓越的性能,能夠滿足多種復(fù)雜工況下的使用需求。
IRFZ44N, FDP5800, AOT290L