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GA1206Y224KXJBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 17:02:44 查看 閱讀�8

GA1206Y224KXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換�、電機驅動等場景。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低熱損��
  這款芯片的主要特點是其優(yōu)化的電氣性能和可靠�,使其能夠在嚴苛的工作條件下保持�(wěn)定運�。同時,其封裝形式經(jīng)過特別設�,以增強散熱性能和便于集成到各種電路板中�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  漏源電壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�224A
  柵極電荷(Qg)�15nC
  導通電�(Rds(on))�1.2mΩ
  工作溫度范圍�-55°C to 150°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y224KXJBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損�,提高整體效率�
  2. 快速的開關速度,適合高頻應用環(huán)��
  3. 高額定電流能力,可支持大功率負載�
  4. 內置保護功能,如過流保護和過溫保�,提升了器件的可靠性和安全��
  5. 工作溫度范圍廣,適應多種工業(yè)應用場景�
  6. 封裝形式堅固耐用,具備良好的散熱性能�

應用

該芯片適用于以下領域�
  1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換�
  2. 各類 DC-DC 轉換器的設計�
  3. 電動工具和家用電器中的電機驅動控��
  4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變��
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)與控��
  6. 大功� LED 驅動器及太陽能微逆變��

替代型號

GA1206Y224KXJBR32G, IRF840, STP120NF60

ga1206y224kxjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.22 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-