GA1206Y272KBBBR31G 是一款高性能的功率半�(dǎo)體器�,屬� MOSFET(金屬氧化物�(chǎng)效應(yīng)晶體管)家族。該芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路中。其�(shè)�(jì)注重低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,以確保高效能和低功耗表�(xiàn)�
這款芯片采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠在較高的電流和電壓條件下穩(wěn)定工�,同�(shí)具備良好的熱性能。其出色的電氣特性使其成為眾多工�(yè)及消�(fèi)電子�(yīng)用的理想選擇�
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�120A
柵極閾值電�(Vgs(th))�2.5V ~ 4.5V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ (典型�)
最大功�(Ptot)�150W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C ~ 175°C
封裝形式:TO-247
GA1206Y272KBBBR31G 的主要特�(diǎn)是其超低�(dǎo)通電阻,這有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,該芯片具有快速開�(guān)能力,能夠有效降低開�(guān)損耗�
該器件采用堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),支持高雪崩能量,從而增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的可靠�。其大電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍�(jìn)一步擴(kuò)展了它的�(yīng)用場(chǎng)��
此外,該芯片的封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,使其更適合于需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。這些特點(diǎn)� GA1206Y272KBBBR31G 成為�(xiàn)代電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵組��
GA1206Y272KBBBR31G 廣泛用于各種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)元件�
2. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
3. 新能源汽� (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換器�
6. 各類家用電器中的功率�(diào)節(jié)模塊�
IRFZ44N
FDP15N60
STP120N60E
AO3400