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GA1206Y272KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 20:40:19 查看 閱讀�12

GA1206Y272KBBBR31G 是一款高性能的功率半�(dǎo)體器�,屬� MOSFET(金屬氧化物�(chǎng)效應(yīng)晶體管)家族。該芯片廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路中。其�(shè)�(jì)注重低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,以確保高效能和低功耗表�(xiàn)�
  這款芯片采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠在較高的電流和電壓條件下穩(wěn)定工�,同�(shí)具備良好的熱性能。其出色的電氣特性使其成為眾多工�(yè)及消�(fèi)電子�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�120A
  柵極閾值電�(Vgs(th))�2.5V ~ 4.5V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ (典型�)
  最大功�(Ptot)�150W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C ~ 175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y272KBBBR31G 的主要特�(diǎn)是其超低�(dǎo)通電阻,這有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,該芯片具有快速開�(guān)能力,能夠有效降低開�(guān)損耗�
  該器件采用堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),支持高雪崩能量,從而增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的可靠�。其大電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍�(jìn)一步擴(kuò)展了它的�(yīng)用場(chǎng)��
  此外,該芯片的封裝設(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,使其更適合于需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。這些特點(diǎn)� GA1206Y272KBBBR31G 成為�(xiàn)代電力電子設(shè)備中的關(guān)鍵組��

�(yīng)�

GA1206Y272KBBBR31G 廣泛用于各種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)元件�
  2. 工業(yè)電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  3. 新能源汽� (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換器�
  6. 各類家用電器中的功率�(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP15N60
  STP120N60E
  AO3400

ga1206y272kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-