時(shí)間：2025/5/21 9:09:14
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GA1206Y272KXCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
其主要功能是作為電子開關(guān)或放大器使用，能夠有效控制電路中的電流流動，同時(shí)具備出色的效率和可靠性。
類型：MOSFET
封裝：TO-247
最大漏源電壓：1200V
最大連續(xù)漏極電流：60A
導(dǎo)通電阻：2.7mΩ
柵極電荷：150nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
存儲溫度范圍：-65℃ 至 +150℃
GA1206Y272KXCBR31G 具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，適合高壓應(yīng)用場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源和逆變器。
4. 出色的熱穩(wěn)定性和散熱性能，確保在高負(fù)載條件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
6. 高擊穿電壓設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
該芯片適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
2. 電動工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動。
3. 新能源領(lǐng)域的逆變器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
6. 大功率 LED 照明驅(qū)動電路。
IRGB30S060C4PBF, STGW10H120D, FCH06N120B
