GA1206Y272MBCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器等電力電子�(shè)備中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,支持高頻開�(guān)�(yīng)�,并且能夠在較高的電壓和電流條件下穩(wěn)定工�。其封裝形式通常為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和散熱管��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)�15ns,關(guān)斷時(shí)�25ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GA1206Y272MBCBR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�1.5mΩ,可顯著減少�(dǎo)通損��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻電路設(shè)�(jì),其柵極電荷較低,有助于降低�(qū)動功��
3. 耐熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)�,最高結(jié)溫可�(dá)175℃�
4. �(qiáng)大的電流處理能力,額定連續(xù)漏極電流高達(dá)48A,滿足大功率�(yīng)用需��
5. 提供完善的靜電防�(hù)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了器件的抗干擾能��
該芯片適用于多種電力電子場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 電動工具和家用電器的無刷直流電機(jī)�(qū)��
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)及輔助驅(qū)動單��
由于其出色的性能和可靠�,GA1206Y272MBCBR31G成為了許多高效能�(shè)�(jì)的理想選擇�
IRF7738,
STP55NF06,
FDP17N60,
AON6114