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GA1206Y272MBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 17:49:40 查看 閱讀�13

GA1206Y272MBCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、逆變器等電力電子�(shè)備中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,支持高頻開�(guān)�(yīng)�,并且能夠在較高的電壓和電流條件下穩(wěn)定工�。其封裝形式通常為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和散熱管��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)�15ns,關(guān)斷時(shí)�25ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

GA1206Y272MBCBR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�1.5mΩ,可顯著減少�(dǎo)通損��
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻電路設(shè)�(jì),其柵極電荷較低,有助于降低�(qū)動功��
  3. 耐熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)�,最高結(jié)溫可�(dá)175℃�
  4. �(qiáng)大的電流處理能力,額定連續(xù)漏極電流高達(dá)48A,滿足大功率�(yīng)用需��
  5. 提供完善的靜電防�(hù)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了器件的抗干擾能��

�(yīng)�

該芯片適用于多種電力電子場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
  2. 電動工具和家用電器的無刷直流電機(jī)�(qū)��
  3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)及輔助驅(qū)動單��
  由于其出色的性能和可靠�,GA1206Y272MBCBR31G成為了許多高效能�(shè)�(jì)的理想選擇�

替代型號

IRF7738,
  STP55NF06,
  FDP17N60,
  AON6114

ga1206y272mbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-