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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y273KBBBR31G

GA1206Y273KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:19:48 查看 閱讀�14

GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于多種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)�。其封裝形式和電氣性能確保了在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y273KBBBR31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�120V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�65A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�98nC
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損耗,提高整體效率。此�,該芯片具備快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻操�,能夠減少開(kāi)�(guān)損耗�
  其優(yōu)異的熱性能允許更高的功率密�,同�(shí)增強(qiáng)了系�(tǒng)可靠��
  �(nèi)置的ESD保護(hù)電路提高了器件的抗靜電能�,減少了因靜電引起的損壞�(fēng)�(xiǎn)�
  此外,該芯片還支持嚴(yán)格的短路保護(hù),并能在極端條件下保持穩(wěn)定��

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)域,例如�(kāi)�(guān)電源(SMPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC converters)、太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)�(chē)輛驅(qū)�(dòng)器以及工�(yè)電機(jī)控制等場(chǎng)景�
  由于其出色的性能,也常用于需要高效率和高可靠性的電信基礎(chǔ)�(shè)施和服務(wù)器電源中�

替代型號(hào)

GA1206Y272KBBBR31G
  IRFP260N
  FDP16N120
  STP100N12F7

ga1206y273kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-