型號(hào)：GA1206Y273KBBBR31G
　　類(lèi)型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vdss)：120V
　　最大連續(xù)漏極電流(Id)：65A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.5mΩ
　　柵極電荷(Qg)：98nC
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-247-3

GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，可顯著降低導(dǎo)通損耗，提高整體效率。此外，該芯片具備快速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻操作，能夠減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　其優(yōu)異的熱性能允許更高的功率密度，同時(shí)增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。
　　內(nèi)置的ESD保護(hù)電路提高了器件的抗靜電能力，減少了因靜電引起的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
　　此外，該芯片還支持嚴(yán)格的短路保護(hù)，并能在極端條件下保持穩(wěn)定性。

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters)、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車(chē)輛驅(qū)動(dòng)器以及工業(yè)電機(jī)控制等場(chǎng)景。
　　由于其出色的性能，也常用于需要高效率和高可靠性的電信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器電源中。

GA1206Y272KBBBR31G
　　IRFP260N
　　FDP16N120
　　STP100N12F7