GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于多種電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。其封裝形式和電氣性能確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
型號(hào):GA1206Y273KBBBR31G
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):120V
最大連續(xù)漏極電流(Id):65A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
柵極電荷(Qg):98nC
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損耗,提高整體效率。此外,該芯片具備快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻操作,能夠減少開(kāi)關(guān)損耗。
其優(yōu)異的熱性能允許更高的功率密度,同時(shí)增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。
內(nèi)置的ESD保護(hù)電路提高了器件的抗靜電能力,減少了因靜電引起的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
此外,該芯片還支持嚴(yán)格的短路保護(hù),并能在極端條件下保持穩(wěn)定性。
這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,例如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters)、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車(chē)輛驅(qū)動(dòng)器以及工業(yè)電機(jī)控制等場(chǎng)景。
由于其出色的性能,也常用于需要高效率和高可靠性的電信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器電源中。
GA1206Y272KBBBR31G
IRFP260N
FDP16N120
STP100N12F7