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GA1206Y273KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 15:19:48 查看 閱讀:14

GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于多種電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。其封裝形式和電氣性能確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y273KBBBR31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vdss):120V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):65A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
  柵極電荷(Qg):98nC
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特性

GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損耗,提高整體效率。此外,該芯片具備快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻操作,能夠減少開(kāi)關(guān)損耗。
  其優(yōu)異的熱性能允許更高的功率密度,同時(shí)增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。
  內(nèi)置的ESD保護(hù)電路提高了器件的抗靜電能力,減少了因靜電引起的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
  此外,該芯片還支持嚴(yán)格的短路保護(hù),并能在極端條件下保持穩(wěn)定性。

應(yīng)用

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,例如開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters)、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車(chē)輛驅(qū)動(dòng)器以及工業(yè)電機(jī)控制等場(chǎng)景。
  由于其出色的性能,也常用于需要高效率和高可靠性的電信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器電源中。

替代型號(hào)

GA1206Y272KBBBR31G
  IRFP260N
  FDP16N120
  STP100N12F7

ga1206y273kbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-