GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于多種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)�。其封裝形式和電氣性能確保了在�(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GA1206Y273KBBBR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�120V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�65A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
柵極電荷(Qg)�98nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損耗,提高整體效率。此�,該芯片具備快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻操�,能夠減少開(kāi)�(guān)損耗�
其優(yōu)異的熱性能允許更高的功率密�,同�(shí)增強(qiáng)了系�(tǒng)可靠��
�(nèi)置的ESD保護(hù)電路提高了器件的抗靜電能�,減少了因靜電引起的損壞�(fēng)�(xiǎn)�
此外,該芯片還支持嚴(yán)格的短路保護(hù),并能在極端條件下保持穩(wěn)定��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)域,例如�(kāi)�(guān)電源(SMPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC converters)、太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)�(chē)輛驅(qū)�(dòng)器以及工�(yè)電機(jī)控制等場(chǎng)景�
由于其出色的性能,也常用于需要高效率和高可靠性的電信基礎(chǔ)�(shè)施和服務(wù)器電源中�
GA1206Y272KBBBR31G
IRFP260N
FDP16N120
STP100N12F7