類型：NAND Flash
　　容量：128GB
　　接口：PCIe Gen4 x4
　　工作電壓：1.8V/3.3V
　　工作溫度范圍：-40℃至+85℃
　　封裝形式：BGA
　　尺寸：16mm x 24mm x 1.5mm
　　數(shù)據(jù)傳輸速率：最高可達(dá)5000MB/s（讀）和4500MB/s（寫(xiě)）
　　平均無(wú)故障時(shí)間：200萬(wàn)小時(shí)

GA1206Y273MXBBR31G具有以下顯著特性：
　　1. 高速數(shù)據(jù)傳輸能力，適用于需要實(shí)時(shí)處理大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 內(nèi)置ECC（Error Correction Code）引擎，可有效提升數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
　　3. 支持磨損均衡算法，延長(zhǎng)存儲(chǔ)器使用壽命。
　　4. 具備斷電保護(hù)機(jī)制，在突然掉電情況下仍能保證數(shù)據(jù)安全。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且符合國(guó)際法規(guī)要求。
　　6. 支持多種加密技術(shù)，保障數(shù)據(jù)安全性。

該芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、安防監(jiān)控以及其他需要高可靠性和大容量存儲(chǔ)的領(lǐng)域。此外，它也常被用作服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，滿足對(duì)性能和穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。

GA1206Y273MXBBR32G, GA1206Y273MXBBR30G