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GA1206Y274JBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 15:20:47 查看 閱讀:10

GA1206Y274JBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻并提高效率。同時(shí),其具備出色的熱性能和電氣特性,確保在高電流和高頻應(yīng)用中的穩(wěn)定表現(xiàn)。
  該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式,具有良好的兼容性和易用性,便于工程師在各種電路設(shè)計(jì)中集成。

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y274JBBBR31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  漏源極電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):30A
  柵極電荷(Qg):55nC
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  功耗(PD):180W
  工作溫度范圍(Ta):-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1206Y274JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)在異常情況下的耐受能力。
  3. 快速開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
  4. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),降低驅(qū)動(dòng)損耗。
  5. 出色的熱性能,確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性。
  6. 強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)功能,提高了整體系統(tǒng)的可靠性。
  7. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件。

應(yīng)用

這款芯片適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)控制。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理。
  3. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源模塊。
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和電池管理。
  6. 各種消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的高效能電源解決方案。

替代型號(hào)

IRF540N
  FDP150N06L
  STP30NF06L

ga1206y274jbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.27 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-