GA1206Y274JXXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而提升了整體系統(tǒng)的效率和性能�
該芯片具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于需要高電流承載能力和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。同�(shí),其封裝�(shè)�(jì)緊湊,有助于減少 PCB 占用面積�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�65nC
�(kāi)�(guān)速度�15ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y274JXXBT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻電路設(shè)�(jì),減少磁性元件體��
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流性能,特別適合于同步整流和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用�
4. �(qiáng)大的雪崩能量吸收能力,提高了器件在異常情況下的魯棒性�
5. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流器�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)元件�
5. 大功� LED �(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)模塊�
6. 太陽(yáng)能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換組��
IRF3205, FDP5800, AOT460, STP30NF06