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GA1206Y332MXLBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 22:19:24 查看 閱讀�14

GA1206Y332MXLBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款芯片適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場�,其封裝形式和電氣特性使其成為工�(yè)電子、消�(fèi)電子和汽車電子領(lǐng)域的理想選擇�

參數(shù)

型號:GA1206Y332MXLBR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�60A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.2mΩ
  總功�(Ptot)�240W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y332MXLBR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需�,減少開�(guān)損��
  3. 出色的熱性能�(shè)計,確保在高�(fù)載條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
  4. 具備�(qiáng)大的抗雪崩能力和抗靜電能�(ESD),增�(qiáng)了器件的可靠性和耐用��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需求�

�(yīng)�

GA1206Y332MXLBR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于降壓或升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)動器中作為功率輸出級�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開�(guān)�
  5. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和逆變器模��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制單元�

替代型號

GA1206Y331MXLBR31G, IRFZ44N, FDP5570N

ga1206y332mxlbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-