GA1206Y333MXJBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為需要高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和導(dǎo)通特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類(lèi)工業(yè)電子�(shè)備中�
其封裝形式支持高效的熱管理和電氣連接,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GA1206Y333MXJBR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�33mΩ
總功�(Ptot)�15W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝:TO-220AC
GA1206Y333MXJBR31G 具備以下主要特性:
1. 極低)),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的魯棒��
4. �(nèi)置靜電放�(ESD)保護(hù)功能,提升產(chǎn)品可靠性�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種惡劣�(huán)��
這些特性使� GA1206Y333MXJBR31G 成為高性能功率�(zhuǎn)換和電機(jī)控制的理想選��
該芯片適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. 直流-直流(DC-DC)�(zhuǎn)換器的核心組��
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換�
5. LED照明系統(tǒng)的恒流控��
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保�(hù)電路�
憑借其高效能與可靠性,GA1206Y333MXJBR31G 能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)功率器件的嚴(yán)格要��
IRFZ44N
STP16NF06
FDP15N12SBD